打破日(ri)企壟斷隻(zhi)是時間問(wèn)題？東進半(ban)導體宣布(bù)與三星⁉️成(chéng)功研發EUV光(guāng)刻膠

　　據韓(hán)媒etnews報道，韓(hán)國東進半(bàn)導體與三(san)星電子合(he)作，成功🤩開(kāi)發了超細(xi)半導體加(jia)工必不可(kě)少的材料(liao)——極紫外(EUV)光(guāng)刻膠㊙️(PR)。EUV光刻(kè)膠是因其(qí)👉技術難度(du)高而完全(quan)依賴國外(wai)的✌️産品，此(ci)次韓國通(tōng)過國内企(qǐ)業合作實(shí)現了☎️國産(chan)化，意味着(zhe)日企壟斷(duan)的打破。

 

東(dong)進半導體(tǐ)華城工廠(chang)鳥瞰圖，來(lai)源：etnews

 

　　12月13日，東(dong)進半導體(ti)宣布于近(jin)期通過了(le)三星電子(zǐ)的EUV光刻膠(jiāo)可靠性測(ce)試，發布此(ci)消息後，截(jie)至12月13日上(shàng)午✂️11時45分，東(dōng)進半導體(ti)股價較前(qián)一交易日(ri)上漲12.8%。

 

　　一位(wèi)熟悉此事(shi)的業内人(rén)士表示，“東(dōng)進半導體(ti)在其🏃🏻位于(yu)京畿道💯華(huá)城的工廠(chang)開發了 EUV光(guang)刻膠，并在(zai)三星電子(zi)的華城EUV生(shēng)産線上對(duì)其進行了(le)測試，并獲(huò)得了最終(zhōng)的可靠性(xìng)📐認證。”

 

三星(xing)電子， 來源(yuan)：etnews

　　光刻膠是(shi)半導體曝(pù)光工藝中(zhōng)的關鍵材(cái)料。它被施(shi)💯加在晶片(piàn)㊙️上，當用半(bàn)導體曝光(guāng)設備照射(she)光時，會發(fā)生化學反(fǎn)應并💃改變(bian)物理特性(xìng)。通過用顯(xian)影劑沖洗(xi)掉來繪制(zhi)微電路，隻(zhi)留下必要(yào)👄的部分🏃‍♀️。

 

　　在(zài)韓國，用于(yú)KrF和ArF工藝的(de)光刻膠已(yǐ)大量生産(chan)，但沒有用(yòng)于可以繪(hui)制更精細(xì)電路的EUV光(guang)刻膠，大部(bu)分需要依(yi)賴日本進(jìn)口。此外在(zai)2019年，日本與(yu)韓國爆發(fa)争議之後(hòu)曾經限制(zhi)三種重要(yao)的半導🚩體(tǐ)材料對韓(han)國的出口(kou)，EUV光刻膠就(jiù)是其中之(zhi)一，爲此韓(han)國公司也(yě)加快了EUV光(guāng)刻膠的研(yan)發，東進半(ban)導體也是(shi)其中之一(yi)。

 

　　東進半導(dao)體利用自(zi)有的基礎(chǔ)設施，如現(xiàn)有的ArF曝光(guāng)機🔴和比利(lì)時半導體(tǐ)研究所I MEC EUV設(she)備，開始進(jìn)行EUV光刻膠(jiāo)國産🆚化研(yan)🚶發。

 

　　今年早(zǎo)些時候，其(qi)加強了EUV光(guāng)刻膠專家(jia)并加速了(le)技術開發(fā)🌈。此外，三星(xing)電子積極(jí)支持EUV測試(shi)環境，以達(da)到可以在(zài)現場使用(yong)的質量水(shui)平。

 

　　目前尚(shang)不清楚三(san)星電子是(shì)否會立即(ji)将東進半(ban)導體EUV光刻(ke)膠投入半(bàn)導體生産(chan)線。正常情(qíng)況下，如果(guǒ)質量合☎️格(ge)就會投入(ru)量産線✏️。因(yin)此，有人預(yu)測最早可(kě)能在明年(nian)😄上半年📧供(gong)應。三星電(diàn)子和東進(jìn)半導體目(mù)前都拒絕(jué)就💯本條新(xīn)聞表态。三(sān)星💃🏻電子的(de)一位官員(yuan)表示：“我們(men)無法🍉與合(hé)作公司确(què)認測試是(shi)否通過。”

 

　　就(jiu)該消息而(er)言，三星與(yu)東進半導(dao)體研發的(de)EUV光刻膠㊙️産(chǎn)品隻㊙️是成(cheng)功通過了(le)測試，距離(lí)量産時間(jiān)還不确定(dìng)，但這一消(xiao)息🧡也表😘明(ming)三🛀星已經(jīng)在EUV光刻膠(jiao)方面取得(dé)成功，量産(chan)将隻是時(shi)間問題。